【摘 要】
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我们利用X射线光电子能谱方法对a-Si,a-Si:H和C-Si样品表面进行了研究。实验获得了a-Si,a-Si:H和C-Si样品表面超薄自然氧化膜的组份和厚度,以及超薄自然氧化膜中Si-2p却电子
【机 构】
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北京工业学院电子工程系,北京大学物理系,
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我们利用X射线光电子能谱方法对a-Si,a-Si:H和C-Si样品表面进行了研究。实验获得了a-Si,a-Si:H和C-Si样品表面超薄自然氧化膜的组份和厚度,以及超薄自然氧化膜中Si-2p却电子能级的化学位移。文中还报道了用XPS方法探测SiO2/a-Si系统的界面结构。结果表明,a-Si样品表面形成SiO2/SiOX/a-Si结构,即SiO2/a-Si界面过渡区的化学组份为SiOX（0≤x≤2）,过渡区的宽度约为5～10A。实验中观测了不同样品表面的自然氧化过程,发现表面稳定性按a-Si:H>a-Si>C-Si的顺序递减,这对非晶态硅的应用是有利的。
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