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对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ材料，注入不同剂的Ｆ并退火，其电容经＾６０Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层控穴阱浓度，增强了ＳＩＭＯＸ的的抗电离辐照能力。
注氟SIMOX隐埋SiO2的辐照感生电荷分布特性
【摘 要】
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对常规工艺制备的ＳＩＭＯＸ材料，注入不同剂的Ｆ并退火，其电容经＾６０Ｃｏγ射线电离辐照后平带电压漂移较小，通过同理论值相比较，说明Ｆ的注入减少了ＳＩＭＯＸ隐埋ＳｉＯ２层控穴阱浓度，增强了ＳＩＭＯＸ的的抗电离辐照能力。
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院新疆物理所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1996年9期
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