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用射频磁控溅射法制备了SiC薄膜，并对其进行了退火处理。用AFM观察了薄膜的表面形貌，测量了薄膜的厚度与透射光谱。用J．C．Manifacier提出并由R．Swanepoel加以修正和完善的包络线法对薄膜透射光谱进行了分析计算，并结合Tuac公式确定了薄膜的光学带隙。结果表明：在不同射频功率下制备的薄膜均有较强的蓝紫光吸收特性，在低功率下可制备出表面平整，吸收系数小，光学带隙大的薄膜；退火处理后薄膜的吸收系数减小，光学带隙增大，晶粒向圆形转化且尺寸变大。