论文部分内容阅读
采用密度泛函理论中的广义梯度近似对（CdTe）n和（HgTe）n（n=2～8）团簇的几何结构进行优化,计算了其能量,研究了其电子性质。结合能、最高占据轨道和最低未占据轨道的能隙计算结果表明,n=3、6是团簇的幻数;比较2种团簇的基态结构,发现2种团簇的最低能量结构不同,这可能是导致块体材料CdTe是宽带隙半导体材料,而HgTe是半金属材料的原因。