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文章主要介绍了已研制的C波段5.2～5.8GHz 4W GaAs MESFET功率管制作技术,包括将匹配网络等效电路元件参数换算成集总和分布式元件的方法,及匹配网络工艺制作技术,最后,获得的成品功率管的测量值与模拟计算结果吻合.
C波段4W功率GaAs MESFET制作技术
【摘 要】
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文章主要介绍了已研制的C波段5.2～5.8GHz 4W GaAs MESFET功率管制作技术,包括将匹配网络等效电路元件参数换算成集总和分布式元件的方法,及匹配网络工艺制作技术,最后,获得的
【机 构】
：
西安微电子技术研究所
【出 处】
：
微电子学与计算机
【发表日期】
：
2001年1期
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