MoO_3薄晶体在电子束轰击下的结构变化

来源 :电子显微学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chris916
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MoO_3薄晶体极易发生结构变化(尤其在强电子束下)。我们利用透射电镜HU—11(采用自制的600μ孔径的第二聚光镜光栏,75kV加速电压)和H—800(采用150μ孔径的第二聚光镜光栏,200kV加速电压,1~8μ束斑),在不同强度的电子束下(通过改变第二聚光镜的电流),对无支持膜依托,且架在微栅或铜网孔边的MoO_3晶体的结构变化过程进行了观察。 MoO_3 thin crystals are prone to structural changes (especially under strong electron beam). We used the transmission electron microscopy HU-11 (using a self-made 600 μm aperture second condenser diaphragm with a 75 kV acceleration voltage) and H-800 (with a 150 μm aperture second condenser diaphragm, 200 kV acceleration voltage, 1~8 μ beam spot) Under the different intensity of electron beam (by changing the current of the second condenser), the structure change of MoO_3 crystal supported by the unsupported film and supported on the micro-grid or copper mesh was observed.
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