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在300～600K温度范围内分析并模拟了栅长为100nm的SOI（Silicon On Insulator）和SOAN（Silicon On Aluminum Nitride）MOSFETs的输出特性和有源区温度分布，得出了SOAN器件更适合高温应用的结论；针对高温应用环境，对SOAN器件结构参数及工艺参数进行优化，得出了各个参数的优化值，并使用优化后参数仿真CMOS反相器的瞬态特性，结果显示在环境温度为300K和500K时，SOANCMOS门极延迟分别为19ps、25．5ps；而SOI CMOS的门极延