BiCMOS结构中阱特性的研究

来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jingchengyu

【摘要】

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叙述了以双极型工艺为主体的ＢｉＣＭＯＳ结构中ｐ阱电阻比值非线性的特性及其与芯片合格率的关系。在ｐ阱下面采用埋层，抑制或消除了ＢｉＣＯＭＳ中；ｐ阱结构的寄生效应，从而提高了芯片合格率。

【作者】

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【机构】

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上海贝岭微电子制造公司

【出处】

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微电子学

【发表日期】

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1999年5期

【关键词】

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