【摘 要】
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采用预制膜硒化两步法制备CIGSe薄膜,采用X射线衍射方法分析薄膜的结构,采用荧光光谱分析和俄歇电子能谱分析方法检测分析薄膜的成分.研究结果表明CIGSe薄膜中Ga元素以置换原
【机 构】
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清华大学机械工程系 北京100084
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采用预制膜硒化两步法制备CIGSe薄膜,采用X射线衍射方法分析薄膜的结构,采用荧光光谱分析和俄歇电子能谱分析方法检测分析薄膜的成分.研究结果表明CIGSe薄膜中Ga元素以置换原子的形式存在于CuInSe2相中,并且Ga具有背电极富集现象.富集现象弱化了Ga元素对禁带宽度的提高作用,并且由于薄膜背电极侧Ga含量过高导致背电极处缺陷浓度增加,从而降低了CIGSe薄膜的质量.结合Zhang等对CuInS2和CuGaSe2中缺陷对生成能的理论计算,本文认为较高的2Vcu- Gac缺陷对形成能造成了Ga元素的背电极富集现象.
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