【摘 要】
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近年来,对非晶硅a-Si薄膜进行了广泛研究。a-Si薄膜的光学带隙是判断材料性能优劣的一个关键参数。通常,光学带隙是由(αhω)~(1/2)—hω曲线求得的:先用分光光度计测出薄膜
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近年来,对非晶硅a-Si薄膜进行了广泛研究。a-Si薄膜的光学带隙是判断材料性能优劣的一个关键参数。通常,光学带隙是由(αhω)~(1/2)—hω曲线求得的:先用分光光度计测出薄膜的透过率T(λ),然后算出α(λ),最后将各个波长的(αhω)~(1/2)与hω描点作图,将高吸收区域(α>10~4)的点子拟合成直线,此直线与hω轴的截距就是光学带隙。
In recent years, amorphous a-Si thin films have been extensively studied. The optical band gap of a-Si film is a key parameter to judge the material performance. In general, the optical bandgap is calculated from the curve (? Hω) ~ (1/2) -hω: the transmittance T (λ) of the film is measured by a spectrophotometer and then α (λ) Wavelength (αhω) ~ (1/2) and hω plot point plot, the high absorption area (α> 10 ~ 4) of the points fitted to a straight line, this line and hω axis intercept is the optical bandgap.
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