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利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的PtSi/p-Si异质薄膜，采用X射射光电子谱（XPS）测试其芯能级和介电子能谱。结果表明，其相形成由表面到界面为Pt,Pt2Si,PtSi，衬底温度的升高与沉积薄Pt膜有利于单一PtSi的形成，并揭示其价电子谱中谱峰出现的原因。
利用X射线光电子谱对PtSi／p—Si（111）
【摘 要】
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利用磁控溅射方法制备了不同工艺条件下的PtSi/p-Si异质薄膜，采用X射射光电子谱（XPS）测试其芯能级和介电子能谱。结果表明，其相形成由表面到界面为Pt,Pt2Si,PtSi，衬底温度的升高与
【机 构】
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哈尔滨理工大学应用科学学院
【出 处】
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哈尔滨理工大学学报
【发表日期】
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2001年5期
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