【摘 要】
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用稠密等离子体聚焦源测量法确定次临界装置的瞬发中子衰减常数时发现,反射层材料不同的次临界装置具有不同的中子时间特性。本文采用蒙特卡罗方法分析带含氢反射层和带金属
【机 构】
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北京应用物理与计算数学研究所,中国工程物理研究院中子物理学重点实验室,中国工程物理研究院高性能数值模拟软件中心
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用稠密等离子体聚焦源测量法确定次临界装置的瞬发中子衰减常数时发现,反射层材料不同的次临界装置具有不同的中子时间特性。本文采用蒙特卡罗方法分析带含氢反射层和带金属反射层两种次临界装置的有效增殖因数(keff)、瞬发中子代时间、能谱等中子学参数的时间特性。结果表明,对含氢反射层装置,在10-6 s的时间尺度内,泄漏的快信号反映装置内部活性区的特性;在10-6~10-4 s或更长量级的时间尺度内,中子的谱形和空间分布逐渐趋于平衡,泄漏信号表征整个次临界装置的定态特性。
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