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根据磷锗锌（ZnGeP2）晶体的生长特性,分析了ZnGeP2单晶生长对生长炉温场的要求。在两温区单晶生长炉的基础上,设计出适合ZnGeP2单晶生长的三温区管式生长炉,并对其温场进行了设计与优化。在经优化的温场中进行ZnGeP2单晶生长,获得了尺寸达20 mm×30 mm、外观完整的单晶体。
磷锗锌单晶生长装置的设计与优化
【摘 要】
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根据磷锗锌（ZnGeP2）晶体的生长特性,分析了ZnGeP2单晶生长对生长炉温场的要求。在两温区单晶生长炉的基础上,设计出适合ZnGeP2单晶生长的三温区管式生长炉,并对其温场进行了设
【机 构】
：
中国民航飞行学院研究生处
【出 处】
：
新技术新工艺
【发表日期】
：
2011年6期
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