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用经内壁涂碳膜的石英坩埚生长ＰｂＴｅ，ＣｄＴｅ和ＨｇＣｄＴｅ等的Ⅱ￣Ⅳ族和Ⅳ￣Ⅵ禾化合物晶体，由Ｘ射线光电子能谱仪，原子吸收光谱和高频红外碳硫分析技术分析了多组涂碳和未涂碳、用和未用长晶的石英管内壁及相应的晶体表面，结果表明牢固的碳膜不会对生长晶体引进明显的碳沾污，可以避免石英同生长晶体的粘连。