【摘 要】
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一、引言 GaAs/AlGaAs作为较理想的晶格匹配Ⅲ-V族半导体异质结构材料,具有较大的能带不连续性,因而其异质结及量子阱和超晶格已在许多新型微电子及光电子器件物理研究领域
【机 构】
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山东大学晶体材料国家实验室,山东大学晶体材料国家实验室,山东大学晶体材料国家实验室,山东大学晶体材料国家实验室,山东大学晶体材料国家实验室,山东大学晶体材料国家实验室 济南 250100,济南 250
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一、引言 GaAs/AlGaAs作为较理想的晶格匹配Ⅲ-V族半导体异质结构材料,具有较大的能带不连续性,因而其异质结及量子阱和超晶格已在许多新型微电子及光电子器件物理研究领域得到广泛的应用,如量子阱激光器(QWLD)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、量子阱红外探测器(QWIRPD)等.MOCVD具有普适性、重复性、均匀性和大面积生产的特点,已成为制备高质量外延材料的重要手段.在MOCVD生长过程中有许多影响界面尖锐度与平整度的因
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