【摘 要】
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介绍了在１００ｍｍ×６０ｍｍ的活性表面上电镀制备６３Ｎｉ低能β放射源的工艺研究。制备的６３Ｎｉ低能β放射源活度高达２２．２ＧＢｑ，６３Ｎｉ的沉积率＞９６％，放射源的不均匀度＜５％。
The technology of preparing 63Ni low energy β radio
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介绍了在１００ｍｍ×６０ｍｍ的活性表面上电镀制备６３Ｎｉ低能β放射源的工艺研究。制备的６３Ｎｉ低能β放射源活度高达２２．２ＧＢｑ，６３Ｎｉ的沉积率＞９６％，放射源的不均匀度＜５％。
The technology of preparing 63Ni low energy β radioactive source on 100mm × 60mm active surface is introduced. The prepared 63Ni low-energy beta radiation source has a high activity of 22.2 GBq, deposition rate of 63Ni> 96% and unevenness of the radioactive source <5%.
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