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近日，罗门哈斯电子材料(股份)公司化学研磨技术部门又研发出另一种应用于半导体器件中铜配线的低应力——低压力下化学机械研磨工艺。更趋完善的新型介质阻障层研磨液。以90nm和65nm线宽的化学机械研磨为设计方向的SSA介质阻障层研磨液，性能稳定，缺陷率极低，而且工艺窗口很宽，
罗门哈斯研发出新型介质阻碍层研磨液
【摘 要】
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近日，罗门哈斯电子材料(股份)公司化学研磨技术部门又研发出另一种应用于半导体器件中铜配线的低应力——低压力下化学机械研磨工艺。更趋完善的新型介质阻障层研磨液。以90nm
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2005年4期
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