【摘 要】
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本文提出一种多反应腔并联的水平热壁MOCVD反应器,反应器上下（左右）壁面都采用高温,减少了热泳力的排斥作用,提高了衬底上方的TMG浓度。由于取消了传统反应器的冷壁,减少了寄生
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本文提出一种多反应腔并联的水平热壁MOCVD反应器,反应器上下（左右）壁面都采用高温,减少了热泳力的排斥作用,提高了衬底上方的TMG浓度。由于取消了传统反应器的冷壁,减少了寄生产物的凝结,提高了反应前体的利用率和GaN的生长速率。可以多个反应腔并联生长,从而实现反应器的扩容。针对这种热壁式反应器,结合GaN的MOCVD生长进行了二维数值模拟,计算了不同流速、高度、长度和压力时反应器内流场、温场、浓度场分布以及生长速率,发现存在一个最佳的气体流速、反应器高度和长度条件,在此条件下,反应前体的产生与沉积达到平
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