氮化镓(GaN)外延生长是LED等光电产业的基础，高质量的GaN薄膜要求使用自支撑衬底进行外延。氢化物气相外延（HydrideVaporPhaseEpitax......

针对GaN薄膜沉积过程中涉及到的复杂的化学反应,依据GaN沉积的4个基本要素,提出MMG是GaN薄膜沉积的主要反应前体,并在TMG的气相分......

在立式MOCVD反应室中,通过对生长氮化镓（GaN）薄膜材料的仿真,发现衬底表面反应物三甲基镓物质的量的浓度分布与实际生长的GaN薄膜的......

提出了一种多喷淋头式MOCVD反应器。针对新型反应器,对GaN生长的MOCVD过程进行了数值模拟,模拟考虑了热辐射和化学反应,计算了反应......

本文提出一种多反应腔并联的水平热壁MOCVD反应器,反应器上下（左右）壁面都采用高温,减少了热泳力的排斥作用,提高了衬底上方的TMG浓......

本文提出了MOCVD生长GaN的表面循环反应模型，将该反应模型应用于作者新近提出的反向流动垂直喷淋式反应器，进行三维数值模拟。得出反......