InP-to-InGaAs interfacial strain grown by using tertiarybutylarsine and tertiarybutylphosphine

来源 :黑龙江科技学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huang_hh
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Lattice-matched InGaAs/InP heterostructures have been grown by using metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) with tertiarybutylarsine (TBAs), tertiarybutylphosphine (TBP) as the group Ⅴ sources. The results of X-ray diffraction on InGaAs/InP single herte
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