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制备高质量的MgB2薄膜是实现MgB2超导电子器件应用的前提和基础．我们用电子束蒸发B膜和Mg/B多层膜为前驱然后后退火的方法，分别在高温区（-900℃）和中温区（-750℃）成功获得了MgB2超导薄膜．改变退火的Ar气压条件，采用B膜前驱退火的样品Tc可达到38K以上，转变宽度0．3K．Mg／B多层膜的结果尽管Tc稍低（Tc-35K），但薄膜表面更加均匀，且避免了高温下Mg蒸汽污染的问题,对于两种前驱退火中观察到的完全不同的退火气压影响，我们认为是与其各自的超导成相过程相联系的，在此基础上我们对退火气压