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空洞型（Void）原生缺陷在大直径直硅单晶中的重要性日渐突出，本文在论述大直径硅单晶中Void缺陷基本性质的同时，详细综述了这类缺陷的控制方法以及它与轻元素（氧，氮，碳，氢）杂质的相互作用，并简要讨论了关于Void缺陷的研究方法和今后的研究方向。
大直径直拉硅单晶中的空洞型原生缺陷
【摘 要】
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空洞型（Void）原生缺陷在大直径直硅单晶中的重要性日渐突出，本文在论述大直径硅单晶中Void缺陷基本性质的同时，详细综述了这类缺陷的控制方法以及它与轻元素（氧，氮，碳，氢）杂质的相互作
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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2001年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金重点项目资助
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