氧化温度对SrTiO3晶界层电容器性能的影响

来源 :南京化工学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kaixin0322
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采用空气中一次烧成工艺,研究了氧化温度对SrTiO3晶界层电容器试样的介电常数ε,绝缘电阻率ρ及介质损耗tgδ的影响;对试样进行了TEM分析,直接观察到存在于多个晶粒交汇处的TinO2n-1第二相;提出了不同氧化温度下的晶界结构模型,较好地解释了试样介电常数随氧化温度下的晶界结构模型,较好地解释了试样介电常数随氧化温度的降低而单调增大的变化规律。
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