【摘 要】
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采用电子束蒸发法（EBE）在单晶TiO2（110）衬底上沉积VO2超薄薄膜.实验以高纯金属V棒为蒸发源,高纯氧气作为反应气体,固定生长温度330℃,氧压2×10-6mbar,然后通过改变不同的V蒸
【机 构】
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功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室（湖北大学）
【基金项目】
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国家自然科学基金（51572073,61274010,11574074）和湖北省自然科学基金（2015CFA038,2015CFB265,2016AAA031）资助
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采用电子束蒸发法（EBE）在单晶TiO2（110）衬底上沉积VO2超薄薄膜.实验以高纯金属V棒为蒸发源,高纯氧气作为反应气体,固定生长温度330℃,氧压2×10-6mbar,然后通过改变不同的V蒸发速率和生长时间制备出不同特性的VO2薄膜.利用原位的扫描隧道显微镜、低能电子衍射（LEED）和X线光电子能谱系统地分析所得样品的表面形貌、结构特征以及相转变过程中的能带结构变化,并对比找出EBE制备法的最佳生长条件.结果表明,当蒸发束流固定在20nA时,LEED点阵较亮,薄膜显示出接近于原子级平滑的表
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