【摘 要】
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基于SOI工艺,运用SILVACO公司的工艺仿真（Athena）和器件仿真（Atlas）模拟软件,结合实际流片测试结果完成对600 V LDNMOS的设计和器件性能分析.整个器件采用环形版图结构,以优化器
【机 构】
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福州大学福建省微电子集成电路重点实验室
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基于SOI工艺,运用SILVACO公司的工艺仿真（Athena）和器件仿真（Atlas）模拟软件,结合实际流片测试结果完成对600 V LDNMOS的设计和器件性能分析.整个器件采用环形版图结构,以优化器件的横向尺寸,漏端漂移区通过渐变掺杂技术（VLD）调节器件表面横向电场分布,并在漂移区上方加入一定厚度的槽氧层,从而增大器件的源漏击穿电压.流片测试结果（Vth=1.7 V,Idsat=48 mA,BV=550 V）表明,器件的各项指标基本达到预期目标,实现了设计和分析的目的.
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