【摘 要】
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一、前言与Si相比较,GaAs有许多独特的优点,因此,在最近几年里,GaAsIC的开发有了飞速的进展。在高速IC方面,已有集成度为每个芯片10万个器件的电路问世;在微波IC方面,单片混
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一、前言与Si相比较,GaAs有许多独特的优点,因此,在最近几年里,GaAsIC的开发有了飞速的进展。在高速IC方面,已有集成度为每个芯片10万个器件的电路问世;在微波IC方面,单片混频器的频率范围高达75～110GHz。目前从事砷化镓方面的开发研究人员,仅西方世界就有4500人之多。应用领域也在不断扩大。GaAsIC正在成为半导体IC的新的生力军。
I. Introduction Compared with Si, GaAs has many unique advantages. Therefore, the development of GaAsIC has progressed rapidly in recent years. In high-speed ICs, there are circuits with integrated levels of 100,000 devices per chip; in microwave ICs, the frequency range of monolithic mixers is as high as 75 to 110 GHz. Currently engaged in the development of gallium arsenide researchers, only the Western world, there are as many as 4,500. Application areas are also constantly expanding. GaAsIC is becoming a new force in semiconductor ICs.
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