【摘 要】
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纳米多孔SiO2薄膜具有超低的介电常数,作为绝缘介质在超大规模集成电路互连系统有着巨大的应用潜力.文中概述了纳米多孔SiO2薄膜的孔隙度与介电常数的关系,指出所有模型均位
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纳米多孔SiO2薄膜具有超低的介电常数,作为绝缘介质在超大规模集成电路互连系统有着巨大的应用潜力.文中概述了纳米多孔SiO2薄膜的孔隙度与介电常数的关系,指出所有模型均位于串联和并联模型之间,介电常数均随孔隙度的增加而下降.说明了多孔SiO2薄膜按孔隙度不同主要分气凝胶和干凝胶两类.介绍了从溶液前驱物中合成的原理,给出了制备纳米多孔SiO2薄膜的一般流程.详细总结了用气凝胶/干凝胶法和模板法制备纳米多孔SiO2薄膜的技术进展.探讨了旋转涂覆制备多孔SiO2薄膜的弱点及改进办法,指明了超低介电常数纳米多孔S
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