【摘 要】
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采用三指单胞的InGaP/GaAsHBT提取的大信号模型参数 ,设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器 .通过对传统偏置网络的优化 ,消除了小信号下的增益压缩 .在 3 5V电压下 ,该
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所,中国科学院微电子研究所 北京100029,中国科学院研究生院,北京100039,北京100029,北京100029,中国科学院研
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采用三指单胞的InGaP/GaAsHBT提取的大信号模型参数 ,设计出应用于ISM频段的三级AB类功率放大器 .通过对传统偏置网络的优化 ,消除了小信号下的增益压缩 .在 3 5V电压下 ,该放大器的最大线性输出功率为30dBm ,增益达到 2 9 1dB ,对应的功率附加效率为 4 3 4 % ,临近沟道抑制比达到 - 10 0dBc,而静态偏置电流很低 ,只有 10 9 7mA .
Using the large signal model parameters extracted from the InGaP / GaAsHBT of the three-finger unit cell, a three-stage class AB power amplifier designed for the ISM band is designed.Through the optimization of the traditional bias network, gain compression under small signal is eliminated, 5V amplifier, the maximum linear output power of the amplifier is 30dBm, the gain reaches 291dB, the corresponding additional efficiency of power is 434%, and the adjacent channel rejection ratio reaches -100dBc, while the static bias current is very low. Only 10 9 7mA.
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