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采用原位X射线衍射仪、拉曼光谱仪和X射线反射仪分别研究了Cu-Sb2Te薄膜的微结构、成键结构和结晶前后的密度变化.Sb2Te薄膜的结晶温度随着Cu含量的增加而增大.在10 at.%和14 at.%Cu的Sb2Te薄膜中,Cu与Te成键,结晶相由六方相的Cu7Te4、菱形相的Sb及六方相的Sb2Te构成.10 at.%和14 at.%Cu的Sb2Te薄膜在结晶前后的厚度变化分别约为3.2%和4.0%,均小于传统的Ge2Sb2Te5(GST)薄膜.制备了基于Cu-Sb2Te薄膜的相变存储单元,并测试了其器件