相变存储材料相关论文
随着全球数据量的增加,传统存储系统（比如:Flash memory,FLASH）因其物理结构的限制而逐渐满足不了大数据时代对数据存储的快速、高密......
大数据时代，信息技术的发展对数据存储器件的存储能力提出了更高的要求，近些年来发展了多种新型存储原理与技术，而相变存储器(PCM)则......
大数据时代，信息技术的发展对数据存储器件的存储能力提出了更高的要求，近些年来发展了多种新型存储原理与技术，而相变存储器(PCM)则......
会议
相变存储器是利用相变材料(如Ge2Sb2Te5)在晶态与非晶态时差距明显的电阻值实现数据存储,并利用两相之间迅速可逆的相变过程来实现......
相变存储技术紧密联系着人们的日常工作和生活,已然成为不可或缺的重要部分。相变存储器凭借其高密度快速存储、多次循环擦写、抗......
学位
相变材料是相变存储器研究中的核心问题。目前,研究较为广泛的相变材料体系主要是SbTe,但是该材料体系非晶态热稳定性存在局限导致......
人工智能等数据密集型产业的发展,对数据的存储介质和处理介质提出了极高的要求。作为利用材料相变产生的电阻差来进行数据存储的P......
相变存储器具有非易失性、可高速读取、循环寿命长、低功耗等优点,是目前最有可能取代SRAM、DRAM、FLASH等主流存储器的下一代半导......
本论文综合利用了X射线衍射(XRD)、电阻-温度测试(R-T)和透射电子显微学技术（包括选取电子衍射、明场形貌像、高分辨像、原位透射电......
作为非易失性存储技术,相变存储被认为是下一代存储技术最优解决方案之一。GeTe-Sb2Te3伪二元合金是目前为止比较成熟的一类相变材......
激光诱导击穿光谱(Laser induced breakdown spectroscopy，LIBS)，又称激光诱导等离子体光谱(LIPS)，是一种激光取样的原子/离子发射光......
硫系相变材料由于其不同相态间明显的光学差异、良好的光热稳定性以及在激光作用下高速可逆相变的能力在可擦重写光存储中获得应用......
相变信息存储材料已成功应用于可擦重写相变光盘及非易失性相变随机存储器。相变存储材料的光学、电学和结构基本特性以及相变存储......
相变存储材料由于其相变速度快、非晶态和晶态之间光学性质差异大、可逆循环性与热稳定性好等优点，使其不仅成功应用于可擦重写光存......
基于相变材料的可擦重写相变光盘和非易失性相变随机存储器已成功商业化。高性能相变材料和快速相变机制是其中的关键科学和技术问......
随着信息技术和互联网技术的迅猛发展，数据存储空间越来越拥挤，人们对信息存储介质提出了更高的要求，因此研究和开发新型相变存储材料......
相变存储器作为下一代非易失存储器在信息存储领域有着广阔的发展空间和应用前景。相变存储器在尺寸延缩性、功耗、兼容性上都表现......
相变信息存储材料己成功应用于可擦重写相交光盘及非易失性相变随机存储器。相变存储的特点在于其相转变的高速度和高稳定性的共存......
以GeSbTe和AgInSbTe为代表的相变薄膜是目前商品化可擦重写光盘（如CD-RW、DVD-RW和BD-RE）和研发中的相变随机存储器(PCRAM)的主要记......
mGeTe·nSb2Te3伪二元(GST)化合物亦写做GeTe·Sb2Te3，是一系列窄带隙半导体。GST化合物既是性能优异的相变存储材料，又是具有量子自......
信息技术的飞速发展要求存储器必须具有存储密度高、速度快、不挥发和能耗低等特点。目前的主流存储技术Flash以其读写速度慢、擦......
与其他类型存储器相比,基于硫系化合物的相变存储器（Phase-changeRandom Access Memory,简称PRAM）,具有不挥发性、循环寿命长(大于10......
本论文旨在通过第一性原理方法从理论上研究先进相变存储材料和结构材料的物理性质与化学性质。
在第一章中，我们介绍了本论文......
相变存储材料在光存储领域具有广阔的应用前景，GaSb是综合性能优异的相变存储材料，热稳定性好、晶化速率大、结晶化时间短。电化学方......
相变存储器被认为是下一代非挥发存储技术的最优解决途径之一，具有广阔的应用和发展前景。GeSbTe材料又是众多相变存储材料中性能较......
自从Ovshinsky发现硫系化合物的外场诱导可逆相变特性以来，相变存储材料的研究就受到了极大的关注。其中最具代表性的两种相变存储......
硫系半导体GeSbTe(GST)合金由于其具有超快且可逆的相变特性，同时伴随相变过程而发生着物理性能的巨大改变，成为了最具应用潜力的相......
本论文综合利用选区电子衍射(SAED)、高分辨像(HREM)、X射线能量色散谱(EDS)和高角环形暗场像(HAADF)等电子显微学分析方法,以及透......
学位
本论文利用先进的透射电子显微技术(包括选区电子衍射、明暗场形貌像、高分辨像、高角环形暗场像及模拟技术)，对新型二元相变存储材......
实验表明,硒(Se)掺杂可以大幅提高锗碲(Ge Te)相变存储材料的再结晶温度,使其具有更高的服役温度和更好的数据保持力,然而Se掺杂对......
采用原位X射线衍射仪、拉曼光谱仪和X射线反射仪分别研究了Cu-Sb2Te薄膜的微结构、成键结构和结晶前后的密度变化.Sb2Te薄膜的结晶......
作为一种新型存储技术,相变存储技术表现出非易失性、读写速度快、使用寿命长以及与现有半导体技术兼容性好等优点,自进入人们视野......
介绍了相变存储材料的工作原理与其工作性能之间的对应关系,相变存储材料的开发与材料性能要求密不可分,在分析当前主流相变存储材......
相变存储器具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、多级存储、与现有集成电路工艺相兼容等诸多优点,被认为是最具潜力的......
