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采用双沟道结构和GaAs衬底，成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管．它具有RSTT典型的“A”形负阻，V特性和较宽的平坦谷值区．通过栅压可改变各种负阻参数值，当栅压从0．6V增至1．0V时，PVCR的变化范围是2．1～10．6，峰值电流跨导约为3×10^-4 S．负阻参数Vp，Vv和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值，因此更适合低功耗的运用．