电子转移器件相关论文
我们知道,砷化镓电子转移器件(TED)的载流子浓度(n_o)和有源区长度(L)的乘积是判别此类器件稳定与否的参数,通常以n_oL在5×10~(1......
业已证明,用限流的阴极接触能够改善较厚汽相外延片的磷化铟电子转移器件的特性。用银-锡合金做接触的有源层为34微米厚的器件,在5......
近十年来,随着我国红外技术的发展,我厂先后为国内许多单位提供了多种化合物半导体。文化大革命以来,由于红外技术日新月异地发展......
虽然确定磷化铟的电子速度-电场特性比GaAs更有利于制作高效率的电子转移振荡器已经有一段时间了,但是直到最近,由于实际器件的制......
在半导体器件的发展中,最初所用的材料主要是元素半导体锗。在1960年后,元素半导体硅的材料和器件工艺迅速发展起来,很快在半导体......
三端电压控制型负阻器件（６）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第六章新型“∧”负阻晶体管［２１］新型“∧”负阻晶体管（ＮｅｗＬａｍｂｄａＮｅｇａｔｉｖｅ－ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ），简称ＮＬＮＲＴ，是近几年来新提出的一种三......
从对本体GaAs电子转移效应的广泛研究中,已发展起来一种新型的负阻器件。在连续波反射型放大器中应用此两端器件有可能提供几个倍......
过临界掺杂的电子转移放大器,也有人称做耿效应放大器,是近几年来发展的一种微波小功率放大器。本文概略介绍这种放大器及电路设......
采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的“Λ”形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.......
采用双沟道结构和GaAs衬底，成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管．它具有RSTT典型的“A”形负阻，V特性和较宽的平坦谷值区．通过栅......
