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研究了辐照积累剂量对ＰＺＴ铁电电容的电滞回线和Ｃ－Ｖ特性的影响，结果表明，在积累剂量辐照过程中，由于辐照感生缺陷的影响，剩余极化和矫顽场增加。介电常数下降。根据实验结果和铁电材料的有关辐照理论，提出了剩余极化随积累剂量变化的缺陷相关模型。
Pt／PZT／Pt电容的γ射线辐照积累剂量效应
【摘 要】
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研究了辐照积累剂量对ＰＺＴ铁电电容的电滞回线和Ｃ－Ｖ特性的影响，结果表明，在积累剂量辐照过程中，由于辐照感生缺陷的影响，剩余极化和矫顽场增加。介电常数下降。根据实验结果和铁电材料的
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海原子核研究所
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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1998年4期
【基金项目】
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国家“863”新材料领域项目
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