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期刊论文
硫钝化表面改善GaAs MESFET电特性
硫钝化表面改善GaAs MESFET电特性
来源 :半导体杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gchy111
【摘 要】
:
本文介绍了一种适用于GaAs MESFET表面钝化的新方法。通过对器件进行硫钝化处理,我们发现钝化能使器件的击穿电压提高和表面漏电减少。我们认为造成这种现象的原因,是由于硫钝化减少了栅
【作 者】
:
邢东
蒋敬旗
【机 构】
:
河北半导体研究所
【出 处】
:
半导体杂志
【发表日期】
:
1996年4期
【关键词】
:
硫钝化
半导体器件
表面纯化
S passivation
GaAs MESFET
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本文介绍了一种适用于GaAs MESFET表面钝化的新方法。通过对器件进行硫钝化处理,我们发现钝化能使器件的击穿电压提高和表面漏电减少。我们认为造成这种现象的原因,是由于硫钝化减少了栅漏附近的GaAs表面态密度。
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