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100MW8—12GHz微波FET宽带放大器
100MW8—12GHz微波FET宽带放大器
来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hfj0219
【摘 要】
:
本文介绍了一种宽带大动态放大器及其电路设计和实验结果。其主要技术指标为:在8~12GHz频带范围内,G_p≥20dB,△G_p≤±1.5dB,P_0≥100mW。该场放具有体积小、重量轻、可
【作 者】
:
王晓钧
【机 构】
:
机电部第13研究所石家庄,050051
【出 处】
:
半导体情报
【发表日期】
:
1991年5期
【关键词】
:
放大器
场效应晶体管
砷化镓
Gallium arsenide
Field effect transistor
Broadband amplifier
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本文介绍了一种宽带大动态放大器及其电路设计和实验结果。其主要技术指标为:在8~12GHz频带范围内,G_p≥20dB,△G_p≤±1.5dB,P_0≥100mW。该场放具有体积小、重量轻、可靠性高等特点。
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