【摘 要】
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用电化学C-V和I-V特性分析的方法,对Mg掺杂在MOCVD生长AlGaI nP发光二极管(LED)的影响进行了研究.通过电化学C-V分析,确定了在生长结构中Mg掺杂从有源层到GaP窗口层由高到低
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室,山东华光光电子有限公司
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用电化学C-V和I-V特性分析的方法,对Mg掺杂在MOCVD生长AlGaI nP发光二极管(LED)的影响进行了研究.通过电化学C-V分析,确定了在生长结构中Mg掺杂从有源层到GaP窗口层由高到低的情况;用I-V特性分析的方法对器件结构进行了分析,发现了异常的实验结果.同时理论计算得到了同型结(N+-N,P+-P)的势垒高度和空间电荷区的宽度,由此得到了在同型结两侧浓度比不同时的差异,极好的解释了异常的I-V测试结果.
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