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提出了电子器件门电路硅氧化层介质击穿的物理模型.并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系,解释了介质击穿电压与ESD(静电放电,electrostatic discharge)脉冲的尺寸效应.
电子器件氧化层ESD介质击穿物理模型研究
【摘 要】
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提出了电子器件门电路硅氧化层介质击穿的物理模型.并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系,解释了介质击穿电压与ESD(静电放电,electrostatic discharge)脉冲的尺
【机 构】
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上海海运学院
【出 处】
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上海海运学院学报
【发表日期】
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2003年1期
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