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<正> 自0.5μm CMOS工艺问世以来,I/O的尺寸基本上没有发生什么变化。目前,通过采用紧凑型的静电放电(ESD)设计技术,I/O可以与IC内......
提出了电子器件门电路硅氧化层介质击穿的物理模型.并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系,解释了介质击穿电压与ESD(静......
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基于抗辐照0.18μm CMOS工艺,研究ESD保护器件GGNMOS结构的ESD性能。为提升电路抗辐照性能,采用薄外延衬底材料且引入场区总剂量加......
