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采用密度泛函理论B3LYP方法研究了二氯硅烯(Si Cl2)自由基和异硫氰酸(HNCS)的反应机理。在6-311++G**基组水平上对反应物、中间体和过渡态进行了全几何参数优化,并通过频率分析和内禀反应坐标(IRC)确定各反应通道中的中间体和过渡态,再用QCISD(T)方法计算了各个驻点的单点能。计算结果表明:单重态的Si Cl2与HNCS有插入N-H键和C-N键的反应路径,其中经由三元环插入C-N键的反应通道反应势垒最低,是主反应通道。该反应主产物为Si Cl2NHCS。