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利用新型的直流电流电压（DCIV）法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为，并对热载流子应力下pMOSFET的阈值电压和线性区漏端电流的退化机制做出了物理解释。实验发现在栅极电压较高的热载流子应力条件下，热载流子引发表面态密度随时间变化的两个阶段：第一阶段，电负性的氧化层陷阱电荷起主导作用，使线性区漏端电流随时间增加；第二阶段，表面态逐渐起主导作用，导致线性电流随时间逐渐减小。