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研究不同沟道长度n 沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响.实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,特别是当沟道长度小于1mm时更是如此.这些结果可以用热载流子注入后界面态密度增加来解释.
不同沟道长度对n沟MOSFET退化特性的影响
【摘 要】
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研究不同沟道长度n 沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响.实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,特别是当沟道长度小于1mm时更是如此.
【机 构】
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华南理工大学应用物理系,信息产业部电子第五研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2005年5期
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