fmax为30．8GHz的超薄AI2O3绝缘栅GaNMOS-HEMT器件

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：nkxrb

【摘要】

：

报道了一种利用原子层淀积（ALD）生长超薄（3．5nm）A1203为栅介质的高性能AIGaN／GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT），新型AIGaN／GaNMOS-HEMT器件栅长1μm，栅宽120μm，栅压为＋3．0

【作者】

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郝跃岳远征冯倩张进城马晓华倪金玉

【机构】

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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年11期

【关键词】

：

A1GAN/GAN MOS-HEMT 超薄Al2O3 A1GaN/GaN MOS-HEMT ultrathin A1203

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划资助项目（批准号：51327020301）

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报道了一种利用原子层淀积（ALD）生长超薄（3．5nm）A1203为栅介质的高性能AIGaN／GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT），新型AIGaN／GaNMOS-HEMT器件栅长1μm，栅宽120μm，栅压为＋3．0V时最大饱和输出电流达到720mA／mm，最大跨导达到130mS／mm，开启电压保持在-5．0V，特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz．

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