We investigate the performance of an 18 nm gate length AlInN/GaN heterostructure underlap double gate MOSFET,using 2D Se......

该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).......

论文首先对GaN基MOS-HEMT器件的制作工艺方法进行了研究和优化,在器件表面钝化工艺中,提出了采用先低后高的起辉功率,提高了Si3N4......

无线通讯技术的快速发展对高频大功率器件提出了更高的要求,以便能够满足移动互联网时代数据快速稳定交换的需要。GaN材料具有良好......

GaN基HEMT器件具有较宽的禁带，高二维电子气浓度，高电子迁移率以及高击穿电压等特性因而在高微波功率器件上有着极大的应用潜力。为......