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我们采用射频磁控溅射方法在ｐ－Ｓｉ衬底上成功地制备出四周期的非晶ＧａＡｋ／ＳｉＯ２超晶格，并取得基高分辨率电镜像。以８００℃快速退火方法使超晶格中非晶的ＧａＡｓ层局部晶化，利用Ｒａｍａｍ散射谱研究了其结构变化。
GaAs／SiO2超晶格的制备和Ramam光谱研究
【摘 要】
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我们采用射频磁控溅射方法在ｐ－Ｓｉ衬底上成功地制备出四周期的非晶ＧａＡｋ／ＳｉＯ２超晶格，并取得基高分辨率电镜像。以８００℃快速退火方法使超晶格中非晶的ＧａＡｓ层局部晶化，利用Ｒａｍａｍ散射谱研究了其结构变化。
【机 构】
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北京大学物理系,北京有色金属研究总院
【出 处】
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光散射学报
【发表日期】
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2000年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金委资助
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