质子和γ射线辐照对Bi-系超导体零电阻温度的影响

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20MeV质子辐照固态反应法和硝酸盐溶胶凝胶法制备的Bi-系超导体,伴随有核激发的γ及β射线辐照。在线测量的结果表明超导样品的零电阻温度T是增加的,但是随着时间的推移T值逐渐下降。我们测量了超导体的T和γ射线随时间的变化情况。发现T在伴随γ射线辐照下首先增加,而后逐渐下降。这表明γ射线对超导体的T存在两方面的影响,一是激发样品中的载流子,激发态的载流子构成载流子对,其能隙较宽,提高了:二是产生辐照缺陷,破坏超导体的微观结构,降低T质子辐照在超导样品中产生很多缺陷,降低T。 Bi-based superconductor prepared by 20MeV proton irradiation solid-state reaction method and nitrate sol-gel method, accompanied by nuclear-induced γ and β-ray irradiation. The results of the in-line measurements show that the zero-resistance temperature T of the superconducting sample increases, but the value of T decreases gradually over time. We measured the superconducting T and γ-ray changes over time. T was found to first increase with gamma irradiation and then decrease gradually. This shows that the γ-ray superconducting T has two effects, one is to stimulate the sample carrier, excited state carrier carrier pairs, its wide bandgap, improved: the second is the generation of radiation Defects, destruction of the microstructure of superconductors, reduce T proton irradiation in the superconducting sample produced many defects, reducing T.
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