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在磁场中的Bridgman—Hg1—xCdxTe晶体生长数值模拟研究
在磁场中的Bridgman—Hg1—xCdxTe晶体生长数值模拟研究
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cwq2214
【摘 要】
:
结垂直Bridgma-Hg1-xCdxTe晶体和平共处和数值模拟方法研究了与晶锭轴同方向的恒定磁场对熔体中温度场,流场,浓度场及s-1界面产生的影响,介绍了边界条件的处理方法。
【作 者】
:
王培林
张国艳
【机 构】
:
哈尔滨工业大学控制工程系
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1996年7期
【关键词】
:
磁场
碲镉汞
晶体生长
数值模拟
Bridgman制取
Computer simulationMagnetic field effectsSemiconduct
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结垂直Bridgma-Hg1-xCdxTe晶体和平共处和数值模拟方法研究了与晶锭轴同方向的恒定磁场对熔体中温度场,流场,浓度场及s-1界面产生的影响,介绍了边界条件的处理方法。
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