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80keV As~+注入Si其剂量达5×10~(15)cm~(-2)时,用透射电子显微镜观察到,在硅中形成1000A的非晶层,在非晶层的下面分布着位错环。还研究了瞬态退火和热退火过程中非晶层的相变和缺陷的演变过程,从而得到了最佳退火条件。并用扩展电阻仪测量了砷杂质的电激活过程。
离子注入后快速退火晶格恢复的研究
【摘 要】
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80keV As~+注入Si其剂量达5×10~(15)cm~(-2)时,用透射电子显微镜观察到,在硅中形成1000A的非晶层,在非晶层的下面分布着位错环。还研究了瞬态退火和热退火过程中非晶层
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所,北京师范大学低能核物理研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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