论文部分内容阅读
本文提出了MOCVD生长GaN的表面循环反应模型，将该反应模型应用于作者新近提出的反向流动垂直喷淋式反应器，进行三维数值模拟。得出反应器内流速、温度和TMGa浓度分布，以及GaN的生长速率分布。将此计算结果与传统的反应器情况进行对比，发现在相同参数情况下，两种反应器的衬底上方温度分布都比较均匀，近衬底处温度梯度较大，高温区域被压制在离衬底较近的区域，流线均比较平滑，在衬底上方没有明显的旋涡；新型反应器内反应气体在近衬底处的浓度均匀性以及GaN在基片表面的沉积均匀性都优于传统反应器，但沉积速率小于后者，大约