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自从Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ等人成功地制备了ＧａＮ／ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ蓝、绿光ＬＥＤｓ以来，ＧａＮ及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究．由于ＧａＮ材料不同于传统的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，因此其器件的加工工艺，如欧姆或肖特基接触的形成、...
RIE技术制备p—n结型GaN蓝光LEDs
【摘 要】
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自从Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ等人成功地制备了ＧａＮ／ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ蓝、绿光ＬＥＤｓ以来，ＧａＮ及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究．由于ＧａＮ材料不同于传统的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体材料，因此其器件的加工工艺，如欧姆或肖特基接
【机 构】
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河北半导体研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1999年1期
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2011年12月22日,是德力西电气售后服务人员最忙碌、最紧张、又最兴奋的一天。这一天也是全国商品售后服务达标认证评审委员会、北京五洲天宇认证中心的专家对德力西电气售后
介绍电力行业Profibus现场总线使用中存在的一些问题,以及故障排除和诊断的相关内容。
对Ｏｓ（Ⅱ）配合物的光致发光过程进行了实验研究，发现将其复合于ＰＶＣｚ基质中时，相对于纯配合物情形，发光强度增强，荧光寿命增长，在ＰＶＣＺ存在的条件下，由于激发能从ＰＶＣＸＺ到配合ＭＬＣＴ态的能量转移，使得ＭＬＣＴ态的发光强
体相ＺｎＳＣｕ具有优越的交直流电致发光性能，在屏幕显示领域有着广泛的应用［１］．近年来随着ＺｎＳＭｎ纳米材料研究的深入［２～４］，对于纳米ＺｎＳＣｕ的研究也引起了人们极大的兴趣［５］．但研究进展十分缓慢，主要原因一是由于其
采用溶液电镀方法在多孔硅表面制备纳米尺寸的银颗粒，测量了不同镀银多孔硅表面吸附的ＲｈＢ染料分子以及固态的ＲｈＢ染料的Ｒａｍａｎ散射谱。在相同的激发强度下，固态ＲｈＢ染料的Ｒａｍａｎ散射最弱，而镀银的多孔硅
报导了ＺｎＳ：Ｃｕ水溶液和ＺｎＳ：Ｃｕ／ＰＶＡ复合膜的制备过程，分析分散剂所起的作用，研究了室温下复合膜的激光发谱和发射光谱，以及室温和液氮温度下的分时光谱，初步探讨了ＺｎＳ：Ｃｕ纳米超微粒的发光过程。
本文用ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡＳ衬底上成功地制备了具有波导结构的Ｚｎ０．８Ｃｄ０．２Ｓｅ－ＺｎＳｅ应变层超晶格样品，在７７Ｋ温度的发致发光光光谱中观测ｎ＝１的重空穴和轻空穴激子的辐射复合。
研究了铕（Ⅲ）与噻吩甲酰三氟丙酮（ＨＴＴＡ）、丙烯酸（ＨＡＡ）的三元配合物及与甲基丙烯酸甲酯（ＭＭＡ）成键聚合物（ＣＰＥｕ（ＴＴＡ）２ＡＡ）和掺杂聚合物（Ｅｕ（ＴＴＡ）２ＡＡ／ＰＭＭＡ）发光性质，测量了配合物中Ｅｕ＾３＋的＾５Ｄ０和＾５Ｄ１能级的荧光衰减，对其传能过程和荧光寿命进行了讨论
本文讨论了在ＺｎＳｅ薄膜材料及ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱中宽阱材料和窄阱材料的激子弛豫过程和在窄阱材料中激子受激发射。
阐述了用ＭＯＣＶＤ生长的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制量子阱结构及其光学性质。样品经高分辨率光致发光（ＰＬ）测试显示，在１０Ｋ下对于８ｎｍ的单量子阱，通过激发产生的荧光谱半峰宽（ＦＷＨＭ）为６．２ｎｍ，同时具有较高的强度。表明量子