新的高速长波Al_(0.48)In_(0.52)As/Ga_(0.47)In_(0.53)As多量子阱APD

来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:guojiaguangdian
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一种新的长波(λ=1.3μm)超晶格雪崩光电二极管已工作。该器件结构为p~+in~+,是采用MBE生长的,在p~+和n~+Al_(0.48)In_(0.52)As透明层之间,由35个周期的Al_(0.48)In_(0.52)As(139A)/Ga_(0.47)In_(0.53)As(139A)多量子阱 A new long wave (λ = 1.3μm) superlattice avalanche photodiode has been in operation. The structure of the device is p ~ + in ~ +, which is grown by MBE. The device is composed of 35 cycles of Al 0.48 In 0 () 0.52) As (139A) / Ga 0.47 In 0.53 As (139A) Multiple Quantum Well
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